技术编号：23272669
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种单晶硅的制造方法及单晶硅的提拉装置。背景技术以往，提出了在利用提拉法进行的单晶硅的提拉中，在提拉过程中施加水平磁场时，屏蔽一部分磁场而使磁力线密度不均匀，或相对于石英坩埚的旋转中心偏离单晶硅的晶体提拉轴，从而进行单晶硅的提拉的技术(例如，参考专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2004-196655号公报发明内容发明所要解决的技术问题然而，近年来所获知的是，在施加水平磁场的利用提拉法进行的单晶硅的提拉中，即使使用相同的提拉装置且以相同的提拉条件提拉单晶硅，所提拉的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。