技术编号：23292020
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型属于真空镀膜技术领域，具体地涉及一种真空溅射镀膜装置。背景技术采用溅射方法制备薄膜层，可采用单靶溅射沉积、双靶溅射沉积。单靶溅射沉积是采用单个平面靶或单个旋转靶进行溅射沉积，由于有些薄膜层是由多组分构成，若采用多组分的靶材这会增加制造靶材的难度，且有的单组份材料的导电性良好，而把这几个单组份材料混合制成多组分材料后其导电性变得很差，这就使得该多组分薄膜层的沉积变得更加困难；甚至有的材料不能制备成多组分的靶材，如氧化铟掺杂钨的材料不能制备成磁控溅射靶材，因为其制成的材料密度较低，其只能用...
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