技术编号:23388813
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种半导体器件及形成方法。背景技术随着半导体制造工艺的不断发展,半导体器件的集成度越来越高,半导体器件的特征尺寸也逐渐缩小。然而,在制造半导体器件的过程中,半导体器件的可靠性不足。发明内容有鉴于此,本发明提供了一种半导体器件及形成方法,能够提高半导体器件的可靠性。第一方面,本发明提供了一种半导体器件的形成方法,所述方法包括:提供衬底;刻蚀所述衬底的部分区域,以在所述衬底中形成开口;在所述开口的侧壁形成复合隔离层,形成所述复合隔离层的方法包括:在开口的侧壁交替形成...
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