技术编号:23408578
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及材料生长领域,尤其涉及一种热蒸发源炉。背景技术在半导体、金属、拓扑绝缘体、磁性材料、有机化合物半导体等材料的薄膜生长中,通常会使用分子束外延、热蒸发镀膜等设备。这些设备在进行材料生长时,一般会使用产生原子束或分子束的关键装置,称为热蒸发源炉。热蒸发源炉通常工作在真空环境,利用电阻加热器为坩埚中的源材料提供能量,使其液化或升华,并达到一定的蒸汽压,使得坩埚中的源材料以原子束或分子束的形式流向与热蒸发源炉相对放置的衬底表面,最终达到材料生长的目的。热蒸发源炉提供的原子束或分子束的束流稳...
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