技术编号:23463759
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体工艺设备领域,具体地,涉及一种半导体工艺设备。背景技术气相外延工艺(vapourphaseepitaxy)是一种常见的外延生长技术,其能够实现在单晶衬底基片上生长出与衬底基片的导电类型、电阻率和结构都不同,且厚度和电阻率可控,能够满足多种不同要求的单晶层,能够极大地提高器件设计的灵活性和性能,在各种半导体功能器件(如igbt,cmos,数字存储dram,微处理器等)领域具有广泛的应用前景。在气相外延生长工艺中,外延层厚度的稳定性和均匀性与工艺腔室中的气流场息息相关。为提高外延层厚...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。