技术编号：23621528
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。相关申请的交叉引用本申请要求2019年7月12日提交的申请号为10-2019-0084686的韩国专利申请的优先权，其公开内容通过引用整体合并于此。本发明的各种实施例涉及一种半导体器件，并且更具体地，涉及一种竖直存储器件。背景技术最近，为了增加存储器件的净裸片(netdie)，存储单元的尺寸不断减小。随着存储单元的尺寸变小，应减小寄生电容(cb)并增大电容。然而，由于存储单元的各种结构限制，使用常规解决方案增加净裸片变得越来越困难。发明内容本发明的各种实施例针对一种高集成度的竖直存储单元以及包括...
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