技术编号:23621545
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。相关申请本申请案享有以日本专利申请2019-128985号(申请日:2019年7月11日)为基础申请的优先权。本申请通过参考该基础申请而包含基础申请的全部内容。本发明的实施方式涉及一种半导体存储装置及其制造方法。背景技术半导体存储器的通道半导体层的特性对存储单元的性能影响较大。例如,若通道半导体层的迁移率较低,则存储单元的阈值电压变高,导致存储单元的动作电压变高。发明内容本发明的实施方式提供一种能够提升半导体层特性的半导体存储装置及其制造方法。实施方式的半导体存储装置具备:积层体,将多个导电层隔...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。