技术编号:23621548
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及3dnand闪存技术领域,具体而言,涉及一种刻蚀工艺及3dnand的制作工艺。背景技术快闪存储器(flashmemory)又称为闪存,闪存的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息,且具有集成度高、存取速度快、易于擦除和重写等优点,因此成为非挥发性存储器的主流存储器。根据结构的不同,闪存分为非门闪存(norflashmemory)和与非门闪存(nandflashmemory)。相比norflashmemory,nandflashmemory能提供及高的单元密度,可以达到高存储密度...
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