技术编号:23621839
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于太阳能电池技术领域,特别涉及一种冠醚类材料掺杂spiro-ometad的空穴传输层及其制备方法和应用。背景技术近10年来,有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池(oihps)的光电转换效率显著提升,从最初的3.8%提高到最近的25.2%,作为高效光伏器件的潜力巨大。spiro-ometad是现今钙钛矿太阳能电池中使用最多的一种空穴传输材料,通常使用明星掺杂剂li-tfsi和tbp掺杂。li-tfsi能够显著提升spiro-ometad薄膜层的电导率和空穴迁移率,但li-tfsi的引入带来了下列...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。