技术编号:23660446
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种单根rh@zno微米线异质结紫外增强发光二极管及其制备方法和应用,属于半导体光电子器件技术领域。背景技术半导体紫外光源在照明、杀菌、医疗、生化检测、高密度的信息储存和保密通讯等领域具有重大应用价值。氧化锌(zno)作为一种重要的ii–vi族半导体材料,由于其较宽的禁带宽度(~3.7ev)及相对较高的激子束缚能(60mev),以及结晶质量高,完美的光学谐振腔,在紫外发光二极管和激光二极管等方面具有广泛应用。然而,由于zno材料本身存在大量锌填隙和氧空位缺陷,p型掺杂比较困难,且载流子...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。