技术编号：23704550
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种mosfet终端结构及其制备方法技术领域本发明涉及芯片领域，更确切地说是一种mosfet终端结构。背景技术沟槽mosfet是近年来发展的新一代功率mosfet，因其具有低的导通电阻、开关损耗低、开关速率快等优点，被广泛的应用于各个领域中。沟槽mosfet 器件内部结构主要分为元胞区和外围的终端区，除了元胞区本身的设计外，终端区的结构也会直接影响到器件的性能。如今的常规终端结构一般由若干个等间距的分压沟槽以及一个更宽的截止沟槽构成，但是这样的终端结构电场仍过于集中于最外...
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