技术编号:23705384
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种硅片键合式igbt器件及其制作方法技术领域本发明涉及电子器件领域,具体涉及一种硅片键合式igbt器件及其制作方法。背景技术igbt(绝缘栅双极晶体管)是一种复合式的半导体功率器件,在电能控制和能源有效应用的领域有着广泛的应用。由于复合式的器件,需要对很薄的硅晶圆片的正反两面进行加工,所以工艺上的难度非常大,几乎所有的背面加工都要涉及到专用设备和专用工艺;其中的重点是器件背面、制作深n型场阻止区所需要的高能离子注入,该步骤及其后的退火,工艺难度都很大,设备也都昂贵。[...
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