技术编号：23705755
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。mos器件的制作方法及其版图技术领域本申请涉及半导体制作技术领域，具体涉及一种金属氧化物半导体(metal oxide semiconductor，mos)器件的制作方法及其版图。背景技术在半导体制作工艺中，mos器件在低掺杂漏(lightly doped drain，ldd)注入中会有一次称作口袋(pocket)注入的大斜角注入(其与阱注入的离子类型相同)，形成口袋注入区，来抑制mos器件的短沟道效应(short-channel effects)。然而，口袋...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。