技术编号:23713605
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及集成电路技术领域,具体而言,涉及一种读出电路、存储芯片的读出电路的调试方法及装置。背景技术现有的mram读出电路中,在灵敏放大器sa的两个输入端分别加参考电压(vref)和钳位电压(vclamp),其中,vclamp为阻性存储单元(mtj位元)提供电压,vref为参考电阻rref提供电压,从而通过灵敏放大器sa比较流经参考电阻rref与mtj位元的电流,以识别mtj位元的高阻态和低阻态。在进行mram读出电路的测试时,需要获取最佳vref,具体地,通...
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