技术编号：23718093
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种读写分离的t抗辐照sram存储单元电路结构技术领域本发明涉及集成电路设计技术领域，尤其涉及一种读写分离的t抗辐照sram存储单元电路结构。背景技术目前，在空间辐射环境中，高能粒子引起的存储电路中的单粒子翻转(single event upset，seu)是各种航天器面临的最主要的可靠性问题之一，对存储单元seu方面的加固在长期以来都是研究的热点问题。随着半导体器件特征尺寸的不断减小以及片上集成的晶体管密度的不断增大，存储单元发生seu的现象变得越来越严重，单粒...
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