技术编号：23794955
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种半导体结构的形成方法。背景技术在半导体制造中，随着超大规模集成电路的发展，集成电路的特征尺寸逐渐减小，相应地，金属-氧化物半导体场效应管的沟道长度也随之不断减小。伴随着沟道长度的不断减小，也带来了一系列问题，其中最为显著的就是短沟道效应。通常来说，短沟道效应包括：影响阈值电压、迁移率场相关效应及载流子速度饱和效应、影响器件寿命的热载流子效应、亚阈特性退化。为了适应特征尺寸的减小，半导体工艺逐渐从平面的金属-氧化物半导体...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。