技术编号：23893663
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及二维薄膜晶体管制备技术领域，具体地说，是采用二维材料石墨烯作为晶体管的源漏电极，从而优化传统的二维薄膜晶体管。背景技术近年来，以二硫化物、石墨烯和黑磷(bp)等为代表的二维层状半导体材料由于具有优异的电学性能受到了广泛关注。科研人员已经研制出基于二维半导体的高性能电子器件，但其实际应用却受到半导体材料自发氧化的严重影响。例如，少层黑磷在室温下具有高的p型载流子迁移率(cmv-s-)，由于在空气中不稳定，限制了其在电子器件和电路方面的应用。为了解决器...
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