技术编号:24050681
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种gaas基led晶片gap粗糙表面的制作方法技术领域本发明涉及半导体加工光电子技术领域,具体是一种gaas基led晶片gap粗糙表面的制作方法。背景技术发光二极管简称为led(lightemittingdiode),是一种将电能转换为光能的的固体电致发光(el)半导体器件。砷化镓是一种典型的直接跃迁型能带结构材料,导带极小值与价带极大值均处于布里渊区中心,这使其具有较高的电光转换效率,是制备光电器件的优良材料。砷化镓材料与传统的硅半导体材料相比,具有电子迁移率高、禁带...
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