技术编号:24053072
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及半导体装置,特别涉及用于减少半导体装置中存取装置亚阈值泄漏的设备和方法背景技术半导体存储器装置(例如,dram(动态随机存取存储器))包含具有在字线和位线之间的交叉处设置的存储器单元的存储器单元阵列。半导体存储器装置可以包含分层结构的主字线和子字线。主字线是位于上层的字线,并且由行地址的第一部分选择。子字线是位于下层的字线,并且基于相对应的主字线(mwl)和字驱动器线(fx)来选择,所述字驱动器线由行地址的第二部分选择。由于半导体制造中的阵列存取装置...
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