技术编号:24074530
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种用于深硅刻蚀后晶片的传送装置,属于半导体制造领域。背景技术微机电系统的制造工艺中,晶片是必不可少的器件之一,mems架构的构建过程中,通常需要对晶片进行多个工序的加工,大多数工序都需要对晶片进行抓取,目前,取晶片的手臂一般采用真空吸附的方式对晶片进行吸取,而深硅刻蚀后的晶片,被刻蚀的区域厚度低至μm,由于厚度太小,真空会将晶片吸破,造成损失,并导致晶片检测系统无法检测到晶片。由于受传送空间的影响,手臂厚度无法增加,因此,目前通常通过检测晶面识别产品。但是...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。