技术编号：24207542
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明属于透射电子显微镜的电子衍射技术领域，具体涉及一种纳米粉晶主暴露面的电子衍射辅助测定方法。背景技术.前期研究工作表明纳米材料的形貌及其主要暴露晶面对材料性能有一定的影响，通过控制合成纳米材料的主要暴露晶面对提高材料性能具有十分重要的意义。本发明工作基于电子衍射技术，通过对电子衍射图的分析并结合纳米材料本身的结构，从而计算出纳米晶主暴露面。该方法可用于纯相无序纳米粉晶的主暴露面的辅助测定。发明内容.为了解决背景技术中的问题，本发明提供了一种纳米粉晶主暴露面的电子衍射辅助测定方法，本发...
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