技术编号:24210527
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本实用新型涉及太阳能电池技术领域,特别涉及一种激光硼掺杂背钝化太阳能电池。背景技术.目前太阳能电池主要以晶体硅作为基底材料,由于在硅片表面周期性破坏,会产生大量垂悬键(danglingbond),使得晶体表面存在大量位于带隙中的缺陷能级;除此之外,位错、化学残留物、表面金属的沉积均会导入缺陷能级,使得硅片表面成为复合中心,造成较大的表面复合速率,进而限制了转换效率。.背钝化电池对比常规电池主要优势在于降低电池片背面界面态,提高钝化能力,并藉由延长光线路程,提高长波响应以及短路电流,使得背...
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