技术编号:24298454
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路制造领域,特别是涉及一种化学机械研磨(cmp)设备。本发明还涉及一种铜化学机械研磨方法。背景技术在半导体集成电路制造中,除了进行各种膜层如介质层和金属层的生长所用的机台如化学气相沉积(cvd)设备和物理气相沉积(pvd)设备,用于对膜层进行平坦化的cmp设备也被广泛使用。cmp设备通过物理研磨和化学反应的双重作用实现对膜层的平坦化,研磨时,研磨台上会设置研磨垫,晶圆会固定在研磨头上,包括了研磨颗粒和研磨浆料(slurry)的研磨液会从研磨液管输送到研磨液手臂上并通过研磨液...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。