技术编号:24341476
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种高电子迁移率晶体管。背景技术以氮化镓基材料(gan-basedmaterials)为基础的高电子迁移率晶体管具有于电子、机械以及化学等特性上的众多优点,例如宽带隙、高击穿电压、高电子迁移率、大弹性模数(elasticmodulus)、高压电与压阻系数(highpiezoelectricandpiezoresistivecoefficients)等与化学钝性。上述优点使氮化镓基材料可用于如高亮度发光二极管、功率开关元件、调节器、电池保护器、面板显示驱动器、通讯元件等应用的元件的制作。...
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