技术编号:24345041
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。相关申请本申请享受以日本专利申请2019-168195号(申请日:2019年9月17日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的所有内容。本发明的实施方式涉及半导体装置。背景技术作为下一代的功率半导体器件用的材料,期待iii族氮化物,例如gan(氮化镓)类半导体。gan类半导体与si(硅)相比具备较大的带隙。因此,gan类半导体器件与si(硅)半导体器件相比,能够实现小型且高耐压的功率半导体器件。另外,由此,由于能够减小寄生电容,因此能够实现高速驱动的功率半导体器件。在gan...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。