技术编号：24384501
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及太阳能电池技术领域，特别是涉及一种p型背面定域掺杂电池及制备方法。背景技术近期，钝化接触技术在晶体硅太阳能电池逐渐应用，其基本方法采用超薄氧化隧穿层与多晶硅薄膜的作为太阳能电池背面的钝化层与金属接触层，金属电极与重掺杂的多晶硅薄膜形成欧姆接触，从而降低金属复合电流，提升电池性能。但是，大规模工业生产都用丝网印刷银浆料或铝浆料，再通过高温烧结的方法来实现金属-硅接触。在高温烧结过程中，金属浆料会穿透多晶硅薄膜达到晶硅基体，对其隧穿钝化效果造成一定的影响，造成开路电压降低。现有专利，如cn...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。