技术编号：24406942
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及一种具有高台阶结构的硅片的金属剥离工艺，属于半导体器件制备领域。背景技术.光刻技术在半导体制造领域中广泛应用，各种感光性材料在半导体制造技术中用于构图。光刻胶是在光刻中常用的一种感光性材料，为液态胶。光刻胶在光刻的过程中，一般包括旋涂、烘干、曝光、显影、定影、坚膜等过程，最终把掩膜版上的图案转移到光刻胶上。光刻胶有正胶、负胶两种。正胶在曝光后，被曝光的区域在光刻完毕后光刻胶被去除，负胶在曝光后，未被曝光的区域在光刻完毕后光刻胶被去除。.然而，对于具有高台阶结构的硅片(如深硅刻蚀...
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