技术编号:2443408
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体光电材料领域,其公开了透明导电薄膜极其制备方法;该导电薄膜包括作为缓冲和匹配作用的Al2O3层,作为导电作用的CuSn层,以及作为高功函作用的ReO3层;且Al2O3层、CuSn层和ReO3层形成SnO2-CuSn-ReO3三文治结构。本发明提供的透明导电薄膜,为Al2O3-CuSn-ReO3三文治结构的三层阳极薄膜,第一层Al2O3层起匹配层的作用,中间的CuSn层起主要的导电作用,外层ReO3具有较高的表面功函数,与器件其他功能层的能级...
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