技术编号：2451920
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在基底薄膜的至少一面形成抗静电层、在该抗静电层上进一步形成硅酮类剥离层而成的抗静电性剥离薄膜的该抗静电层含有成分(a)使硅酸烷基酯的水解物与偶联剂发生缩合反应而得到的缩合反应物、成分(b)水溶性成膜用树脂和成分(c)抗静电剂。硅酸烷基酯具有式(1)的结构，偶联剂具有式(2)的结构。专利说明抗静电性剥离薄膜 [0001] 本发明涉及在基底薄膜的一面形成有抗静电层、在该抗静电层上进一步形成有硅 酮类剥离层的抗静电性剥离薄膜。 背景技术 [0002] ...
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