技术编号：24637536
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及光刻胶技术领域，尤其涉及一种耐高温正性光刻胶。背景技术光刻是对半导体晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)进行开孔，以便进行杂质的定域扩散的一种加工技术。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。光刻胶是光刻工艺中非常重要的物质，线性酚醛树脂常作为光刻胶中的成膜物质，但是在整个光刻工艺过程中，光刻胶要经过多次烘烤，故要求光刻胶具有较好的耐高温性能，但是单纯的酚醛树脂其耐高温性能并不能满足光刻胶的要求。发明内容基于背景技术存在的技...
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