技术编号：2465
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及金属氧化物半导体的制造领域。更具体地说，本发明公开了一种形成源区和漏区的缓变结的方法。在形成金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)过程中，由于加工顺序的人为因素，会存在许多问题。为了(1)从金属界面到源/漏区制出良好的电接触和(2)降低源区和漏区的电阻率，从而提高MOSFET的特性，故在半导体本体的源区和漏区中需用高浓度的杂质。然而，为了防止会陷入栅电极元件和半导体本体之间的绝缘层中的热电子的注入，引起阈值电压特性的劣化，又要求源区和漏区中的杂质浓度小。源和漏区杂质浓度的这些对抗性的要求，促使工程师...
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