技术编号:24690657
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本申请涉及半导体领域,尤其涉及一种大面积印刷与激光退火制造装置及半导体制造方法。背景技术.随着功能材料和电子科学的不断发展进步,半导体层和有机无机杂化半导体材料因其成本低廉、可大面积柔性加工以及具有良好的光电特性等优点受到了越来越广泛的关注。相比于以硅基为代表的传统无机半导体,半导体层一个重要特点是可低温制备,印刷刮涂,狭缝挤出,旋涂等都是良好的快速制备工艺。.在半导体芯片生产制备过程中,退火是一个重要的环节,经过不同条件下的退火处理,可以使得生长的半导体外延片的位错和缺陷密度降低,从而...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。