技术编号:24707178
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体二极管的制造,具体地说是一种高稳定二极管的制造方法。背景技术.此外,现有技术中,上、下石墨舟必须具有相当的同心度,不良的同心度焊接的材料上、下引线的同心度难以保证,这样,至少会产生如下几个弊病:a上胶时难上,严重时会断料;b成型时使晶片受到不应有的切合应力(此应力会使ir变大,piv降低),严重时会使晶粒破裂,尤其是sky、gpp器件。由于这两类器件的正面焊接区受到严格的限制,不好同心度除了会导致上述的弊病外,还会使焊锡溢出焊接区而导致短路或lp。现有技术中缺乏控制同心度的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。