技术编号：24740757
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明属于电子材料制备技术领域，涉及窄禁带半导体材料的制备，具体涉及一种硫化铅溶胶的制备方法。背景技术.硫化铅作为一类重要的ⅳ‑ⅵ族半导体化合物，因其具有较小的能带隙(.ev)、相对较大的激子玻尔半径(nm)和非线性光学系数，被广泛用于红外探测器、太阳能电池等领域。对于光电探测领域：虽然各类新型半导体探测器层出不穷，但硫化铅探测器由于具有制备工艺简单、响应率高、不需要低温冷却处理、成本低廉等诸多优点，仍然是～μm波段红外系统的核心部件，在红外测温、红外制导、红外预警、红外天文...
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