技术编号:24790888
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。具有基于约瑟夫森相位的力矩的超导存储器背景技术.在电子设备中使用的基于半导体的集成电路(诸如随机存取存储器)包括基于互补金属氧化物半导体(cmos)技术的数字电路。然而,在设备尺寸方面,cmos技术正在达到其极限。此外,即使当基于cmos的存储器没有被访问时,这些存储器中的泄漏电流也会引起高功耗。.例如,数据中心中的服务器正越来越多地消耗大量功率。功率的消耗部分是由于能量耗散而导致的功率损失,即使当cmos电路处于非活跃时也是如此。这是因为即使当这种电路(诸如随机存取存储器)是非活跃的并且不...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。