技术编号：24942203
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及显示装置。背景技术在显示装置中，当从利用cvd法形成的层等的氢易脱离的层脱离了的氢进入tft层中的晶体管等时，在晶体管中产生vth偏移等特性偏移。由此，引起以灰度显示的异常为首的各种显示不良。为了防止这样的问题，开发了设置氢吸附膜的技术。专利文献1中记载了一种有机半导体器件，其是至少依次层叠基板、第一电极、有机功能体、第二电极而成的有机半导体器件，其特征在于，在第二电极上设置有吸附氢或氢离子，且不释放已吸附的氢或氢离子的氢吸附层。专利文献2中记载了一种显示装置，其具备形成沟道的氧化物半...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术注重原理思路，无完整电路图，适合研究学习。