技术编号：24942207
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。相关申请的交叉引用本申请要求于2018年9月24日提交的题为“targetformationapparatus”的美国第62/735,420号申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。本公开涉及一种用于极紫外(euv)光源的目标形成装置。背景技术极紫外线(“euv”)光(例如，波长为100纳米(nm)或更小的电磁辐射(有时也称为软x射线)，并且包括波长为例如20nm或更小，在5nm至20nm之间或在13nm至14nm之间的光)可以用于光刻工艺中以通过在抗蚀剂层中引发聚合来在衬底(例如，硅晶片)中...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术注重原理思路，无完整电路图，适合研究学习。