技术编号:25025823
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及单晶炉设备领域,具体为一种单晶炉及其使用方法。背景技术单晶炉是一种在惰性气体(氮气、氦气为主)环境中,用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化,用直拉法生长无错位单晶的设备。单晶直径在生长过程中可受到温度,提拉速度与转速,坩埚跟踪速度与转速,保护气体的流速等因素的影响。其中温度主要决定能否成晶,而速度将直接影响到晶体的内在质量,而这种影响却只能在单晶拉出后通过检测才能获知。现有的单晶炉在使用时具有以下不足之处:1、现有的单晶炉在使用时若温度分布合适的热场,不仅单晶生长顺利,而且品质较高;如果...
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