技术编号:25028518
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及存储技术领域,具体而言,涉及一种半导体结构的制造方法、半导体结构、晶体管及存储器。背景技术动态随机存取存储器芯片(dynamicrandomaccessmemory,dram)是计算机中常用的半导体存储器件,由许多重复的存储单元组成。每个存储单元通常包括电容器和晶体管。在现代集成电路制造工艺中,芯片加工需要经历一系列有关清洗、成膜、刻蚀、热处理等工艺环节,每道工艺都可能引入各种各样的缺陷。器件缺陷造成的损失代价极为高昂。需要说明的是,在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。