技术编号：25028523
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明的示例性实施方式涉及一种蚀刻方法及等离子体处理装置。背景技术在电子设备的制造中，对基板的含硅膜进行等离子体蚀刻。在对含硅膜进行等离子体蚀刻时，使用包含氟碳化物气体的处理气体。在美国专利申请公开第2016/0343580号说明书中记载有这种等离子体蚀刻。发明内容本发明提供一种在对含硅膜进行等离子体蚀刻时保护基板的技术。在一示例性实施方式中，提供一种蚀刻方法。蚀刻方法包括工序(a)，所述工序(a)在等离子体处理装置的腔室内准备基板。基板包含含硅膜及掩模。掩模含有碳。蚀刻方法还包括工序(b)，所...
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