技术编号:25028525
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及一种等离子体处理方法及等离子体处理装置。背景技术例如在3dnand的蚀刻工序中,作为用于对siox膜及sin膜的层叠膜进行蚀刻的掩模,使用非晶碳膜等有机膜。通过以sion膜等无机膜作为掩模来对有机膜进行蚀刻,从而形成该有机膜的掩模的图案。专利文献1中公开了一种方法,其用于在由抗蚀剂掩模、中间掩模层、功能性有机质掩模层、以及蚀刻层形成的层叠体(stack)中,通过在功能性有机质掩模层的开口产生包含cos的开口气体的等离子体,从而对蚀刻层内的蚀刻结构的界限尺寸(cd)进行控制。<现有...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。