技术编号：25028528
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及存储器技术领域，尤其涉及一种存储器及其形成方法。背景技术存储器包括多个阵列排列的存储单元，每个存储单元均形成于一有源区(aa)上。现有技术的存储器的形成过程中，通常需要对衬底进行刻蚀，以形成阵列排列的有源区。随着存储器存储容量增大，存储密度增大，有源区的线宽逐渐缩小。在衬底表面形成多个阵列排列的掩膜图形作为有源区的掩膜时，需要采用双重图形化工艺(sadp)以形成具有更小线宽图形的aa掩膜，用于形成长条状的aa；然后再在所述aa掩膜上形成sti掩膜用于将长条状的aa切断，由于形成阵列排布...
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