技术编号:25028543
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及igbt芯片加工领域,具体的是一种igbt晶圆的加工工艺。背景技术绝缘栅双极晶体管(insulatedgatebipolartransistor,igbt)是在金属氧化物场效应晶体管(mosfet)和双极晶体管(bipolar)基础上发展起来的一种新型复合功率器件,具有mos输入、双极输出功能。igbt集bipolar器件通态压降小、载流密度大、耐压高和功率mosfet驱动功率小、开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好的优点于一身,被广泛应用到交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动...
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