技术编号:25038382
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于半导体的制造的基座。背景技术例如,为了制造良好的led,使层叠在成为半导体芯片的晶片的表面的薄膜结晶层的外延生长均匀地进行是重要的。因此,就用于半导体的制造的基座而言,为了进行外延生长以对膜厚均匀的薄膜结晶层进行制膜,需要对晶片施加传导热和辐射热来均匀地进行加热。然而,由于从与凹陷部(pokect)接触的部分对载置于基座的凹陷部的晶片施加传导热,因此,在与凹陷部接触的外周部分和不与凹陷部接触的中央部分之间,晶片的温度容易变得不均匀。具体而言,从晶片的外周朝向内侧3mm左右的区域容易...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。