技术编号：2527990
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及包括多晶硅薄膜晶体管的有源矩阵显示器件及其制作。多晶硅(poly-Si)相对于非晶硅(a-Si)所具有的高载流子迁移率，使其成为一种引人注目的材料而用于诸如有源矩阵液晶显示器(AMLCD)及有源矩阵聚合物LED显示器(AMPLED)等大面积电子器件。通常来讲，例如用于薄膜晶体管(TFT)的多晶硅膜采用固相结晶(SPC)来制作。这涉及在绝缘衬底上沉积非晶硅膜，通过使其长时间暴露在高温下使非晶硅膜结晶，这个过程的温度通常超过600℃，时间可长达24小...
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