技术编号：25541694
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及光刻用膜形成材料、含有该材料的光刻用膜形成用组合物、使用该组合物而形成的光刻用下层膜和使用该组合物的图案形成方法(例如抗蚀图案方法或电路图案方法)。背景技术半导体器件的制造中，利用使用了光致抗蚀剂材料的光刻进行微细加工。近年来，随着lsi的高集成化和高速度化，谋求基于图案规则的进一步的微细化。而且，现在用作通用技术的使用光曝光的光刻中，日益接近源自光源波长的本质上的分辨率的极限。抗蚀图案形成时使用的光刻用的光源由krf准分子激光(248nm)向arf准分子激光(193nm)短波长化。但...
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