技术编号:25541725
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及聚硅氧烷组合物。本发明还涉及使用该聚硅氧烷组合物的膜的制造方法,使用该聚硅氧烷组合物的膜以及包含该膜的电子器件(device)的制造方法。背景技术通常在电子器件,特别是半导体器件的制造中,在晶体管元件与位线之间,在位线与电容器之间,在电容器与金属布线之间以及在多个金属布线之间形成层间绝缘膜。此外,绝缘物质可以嵌入在设置于基板表面等的隔离槽中。此外,在基板表面上形成半导体器件之后,可以使用密封材料形成涂层以形成封装。这样的层间绝缘膜和涂层通常由硅质材料形成。另一方面,在电子器件领域,器件...
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