技术编号:25542974
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于制造用于射频应用的绝缘体上半导体结构的称为“接收方衬底”的衬底的制造。本发明还涉及通过将称为“提供方衬底”的第二衬底的层转移到接收方衬底来制造这种结构的方法。背景技术在制造绝缘体上半导体结构(缩写为seoi)的上下文中,将提供方衬底接合到接收方衬底,当半导体是硅时,绝缘体上半导体结构的特定实例是绝缘体上硅(soi)结构。通常,提供方衬底包括单晶半导体衬底,例如单晶硅衬底,而接收方衬底包括特别旨在用作必须从提供方衬底转移到接收方衬底的薄半导体层的载体的至少一个基底衬底。在提供方衬底或...
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