技术编号：25543032
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本公开内容的实施例涉及三维(3d)存储器件及其制造方法。背景技术通过改进过程技术、电路设计、编程算法和制造过程将平坦存储单元缩放到更小的大小。然而，随着存储单元的特征大小逼近下限，平坦过程和制造技术变得富有挑战和代价高昂。因此，平坦存储单元的存储密度逼近上限。3d存储架构可以解决平坦存储单元中的密度极限。3d存储架构包括存储阵列和用于控制去往和来自存储阵列的信号的外围器件。发明内容本文中公开了3d存储器件及其制造方法的实施例。在一个示例中，一种3d存储器件包括：衬底；位于所述衬底上的存储堆叠层；...
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