技术编号:25543591
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及非易失存储器技术领域,特别涉及误码率平衡方法及装置,读取方法及装置。背景技术nand闪存是用于ssd和存储卡的一种非易失性存储体系结构。典型的nand包括多个块(block),每个block又由多个物理页(page)组成,每个page对应着一个字线(wordline,wl),由多个存储单元(最小存储粒度)构成。物理页是读写的单元,也就是向nand闪存中写入或读出数据必须以页为操作单位进行。其中,tlcnand闪存是nand的一种,tlcnand的一个存储单元可存储3比特,这3比特分别属...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
请注意,此类技术没有源代码,用于学习研究技术思路。